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产品 CSD88539NDTI
描述

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。顶视图 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

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Simpson Electric Company

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