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产品 CSD17382F4TI
描述

这种 30V、54mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

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